本发明提供接触孔的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有第一介质层和第二介质层；在所述第二介质层内形成第一开口；在所述第二介质层上形成第三介质层，所述第三介质层填充所述第一开口；在所述第三介质层上依次形成第一介质抗反射层、第一底部抗反射层和第一光刻胶层，并且在所述第一底部抗反射层、第一介质抗反射层、第三介质层、第二介质层内形成第四开口；去除所述第一底部抗反射层、第一介质抗反射层、第三介质层；沿所述第一开口和第四开口进行刻蚀工艺，在所述第一开口下方形成第一接触孔，在所述第四开口下方形成第二接触孔，所述第一接触孔和第二接触孔露出半导体衬底。本发明提高了接触孔的制作工艺的稳定性。