本发明涉及精确校准及自平衡的超级结器件的制备方法。本发明公开了一种用于在半导体衬底上制备半导体功率器件的方法，半导体衬底承载着由外延层构成的漂流区。该方法包含：第一步，生长一个第一外延层，然后在外延层上方制备一个第一硬掩膜层；第二步，利用第一植入掩膜，打开多个植入窗口，并且利用第二植入掩膜，闭锁一部分植入窗口，以植入交替导电类型的多个掺杂区，在第一外延层中相互邻近；第三步，重复第一步和第二步，利用相同的第一和第二植入掩膜，制备多个外延层，每个外延层都用交替导电类型的掺杂区植入。然后，在外延层顶部进行器件制备工艺，在交替导电类型的掺杂区上方，通过扩散过程，合并交替导电类型的掺杂区，作为外延层中的掺杂立柱。