一种金属互连结构及其制作方法，其中制作方法包括：首先提供具有目标电连接区域的半导体衬底；接着在所述半导体衬底上形成图形化的无定形碳层或光刻胶层，所述图形化的无定形碳层或光刻胶层包括垂直相连的第一区域与第二区域；之后在所述半导体衬底上形成金属层；然后回蚀所述金属层，保留所述图形化的无定形碳层或光刻胶层侧墙的所述金属层，去除其它区域的所述金属层，保留的所述金属层对应目标电连接区域；再接着去除所述图形化的无定形碳层或光刻胶层以形成金属互连线图案；最后在所述金属互连线图案间填充介电材质以形成金属互连结构。本发明的技术方案，提供了一种寄生电容小、且导电性好的金属互连结构。