一种制造具有凹凸结构的装置的方法，该方法包括以下步骤：在其中形成细微凹凸结构(AS)的n型半导体层(13)上形成有机抗蚀剂膜(20)；在有机抗蚀剂膜上形成含硅抗蚀剂膜；利用纳米压印技术使含硅抗蚀剂膜图案化；用含氧等离子体氧化含硅抗蚀剂膜以形成氧化硅膜(30c)；使用氧化硅膜(30c)作为蚀刻掩膜，对有机抗蚀剂膜(20)实施干法蚀刻；使用氧化硅膜(30c)和有机抗蚀剂膜(20a)作为蚀刻掩膜，对n型半导体层(13)实施干法蚀刻；以及去除氧化硅膜(30c)和有机抗蚀剂膜(20a)。