本发明提供一种Ω形鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有介质层以及在所述介质层上的鳍部；形成覆盖所述鳍部上表面及侧壁的掩膜层，且所述掩膜层暴露所述鳍部的部分侧壁；以及以所述掩膜层为掩膜，去除部分所述鳍部，在所述鳍部的侧壁形成凹陷部分。形成的Ω形鳍部具有凹陷部分，与栅极结构的接触面积更大，从而增大了驱动电流，改善了器件性能。