本发明提供了一种混合鳍式场效应晶体管(FinFET)，包括第一FinFET和第二FinFET。第一FinFET包括：由第一半导体鳍形成的第一沟道区以及第一导电类型的第一源极区和第一漏极区。第二FinFET包括由第二半导体鳍形成的第二沟道区、与第一导电类型相反的第二导电类型的第二源极区以及第一导电类型的第二漏极区。第二源极区和第二漏极区连接至第二沟道区的相对端部。第一栅电极和第二栅电极互连。第一源极区和第二源极区电互连。第一漏极区和第二漏极区电互连。