本发明公开了一种薄膜晶体管开关及其制作方法。该开关包括栅极、漏极、源极、半导体层以及第四电极，漏极连接第一信号，栅极连接控制信号以控制开关的导通或关闭，所述开关导通时所述源极输出所述第一信号，所述第四电极和所述栅极分别设置于所述半导体层的两侧，且第四电极为导电材料，其根据需要连接不同的电位。通过上述方式，本发明能够在开关处于关闭状态时降低沟道中的漏电流，改善开关的特性。