本发明涉及一种扇出型圆片级芯片封装方法，属于半导体芯片封装技术领域。它包括芯片（1）、金属微结构（2）、高密度布线层（4）、硅腔体（5）、键合层（6）和焊球凸点（7），在芯片（1）上通过溅射、光刻、电镀等工艺形成金属微结构（2），将芯片（1）倒装在高密度布线层（4）上，用光学掩膜、刻蚀等方法在硅腔体（5）上形成下凹的硅腔（511），所述硅腔体（5）将芯片（1）扣置在硅腔（511）内，所述高密度布线层（4）与硅腔体（5）通过键合层（6）键合，加热使包封料层（52）和键合层（6）固化成形。本发明的封装成本低、扇出（Fanout）结构的支撑强度牢固、封装良率高、适用于薄型结构的扇出型圆片级芯片封装。