本发明涉及一种用于电子器件封装的硅基转接板的制备方法，属于半导体封装技术领域。其工艺过程如下：基体（110）内刻蚀盲孔（111）和与盲孔（111）连接的基体底部开口（112），盲孔（111）的内和基体（110）的上表面设置绝缘层Ⅰ（210）和金属层Ⅰ（310），金属层Ⅰ（310）上方设置若干层金属层Ⅲ（330）和介电层（400），并通过介电层开口（401）实现电气连通；基体底部开口（112）内填充绝缘层Ⅱ（220），并设置金属层Ⅱ（320），所述金属层Ⅱ（320）通过绝缘层Ⅱ开口图形（221）与金属层Ⅰ（310）实现电气连通。本发明降低了工艺难度和工艺成本，具备规模化生产能力，并且可实现转接板的高密度技术，有利于应用该硅基转接板结构的电子器件的推广。