本发明涉及薄膜晶体管基板和制造薄膜晶体管基板的方法。公开了减少了工序数量的薄膜晶体管基板和制造薄膜晶体管基板的方法。所述方法包括：通过第一掩模工序，在基板上形成包括栅极和选通线的第一导电图案；淀积栅绝缘膜，并通过第二掩模工序形成包括半导体图案、源极和漏极以及数据线的第二导电图案；淀积第一钝化膜和第二钝化膜，并通过第三掩模工序形成穿过第一钝化膜和第二钝化膜并露出漏极的像素接触孔；通过第四掩模工序，形成包括公共电极和公共线的第三导电图案并同时形成与公共电极形成底切结构的第三钝化膜，并通过掀离工序艺形成包括像素电极的第四导电图案。