一种固态成像探测器，探测器每个单元的构成是：在基底P型半导体硅材料1上方的两侧设有重掺杂的N型半导体区域，分别构成探测器的两个漏区2，在基底P型半导体硅材料上方的中央设有重掺杂的N型半导体区域，构成探测器的源区3。两个漏区和共用源区之间基底的正上方依次分别设有隧穿氧化层4、光电子存储层5、阻挡绝缘介质层6和控制栅极7，控制栅极的上方覆盖有光阻挡层8。探测器的两个漏区和共用的源区之间分别形成两个MOSFET结构的存储管。探测器的源区和漏区的大小不对称，漏区2面积较小，且漏区表面被金属硅化物所覆盖9，防止光照入漏区。探测器的源区3面积较大，为探测器的光电转换区。探测器的源区采用N+注入形成的埋层构成，源区半导体表面没有被金属硅化物所覆盖。从控制栅极往下到基底层没有对探测光波透明的或半透明的窗口，而在源区的上方设有对光波透明的或半透明的窗口。