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CuInS2纳米线的一步合成制备方法
编号:S000020384 刷新日期: 有效日期至:2020-10-11 浏览:2517 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 浙江 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明提供了一种CuInS2纳米线的一步合成制备方法,包括以下步骤:(1)将反应前驱体加入反应容器内;之后向反应容器内依次加入胺类、硫醇和表面配体;(2)将反应容器放入恒温油浴中,磁力搅拌反应,反应结束冷却至室温;取出原溶液,用正己烷稀释,超声振荡,在转速下离心分离,CuInS2结沉于容器底部,弃去上清液,得到CuInS2纳米线。本发明利用前驱体活性的差异,前驱体硫代氨基甲酸银在高温下首先分解形成的硫化银,作为催化剂,乙酰丙酮铜、硫代氨基甲酸铟高温分解形成的产物溶解在硫化银催化剂中,达到饱和后,从硫化银颗粒中析出CuInS2,形成CuInS2半导体纳米线。该方法在常压下即可实现对CuInS2半导体纳米线形状和结构控制,产率可达90%以上。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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