本发明提供了一种高压金属氧化物半导体横向扩散器件(HV LDMOS)，尤其是绝缘栅双极结型晶体管(IBGT)，以及其制造方法。该器件包括半导体衬底、形成在衬底上的栅极结构、形成在衬底内栅极结构的两侧的源极和漏极，形成在衬底内的第一掺杂阱以及形成在第一阱内的第二掺杂阱。栅极、源极、第二掺杂阱和第一阱的一部分以及漏极结构的一部分被在硅衬底中的深沟槽隔离部件和注氧层包围。本发明还公开了具有低衬底漏电的绝缘栅双极型晶体管结构。