本发明公开了一种绝缘栅场效应晶体管及其制造方法。通过在氮化物晶体管结构上生长介质层时引入金属的方法，改变介质层的化学特性，起到控制刻蚀速度和深度的作用。在栅极区域局部减薄形成凹槽结构，并且在栅极处保留部分介质层。在栅极凹槽区域的介质层上，设置金属栅极，形成金属/介质层/半导体接触，同时利用凹槽形成场板结构。由于整个工艺流程中，半导体表面被介质层保护，极大减小了工艺过程中氮化物表面的损伤、应力的释放和氮化物表面的沾污，极大的降低器件的电流崩塌效应。而且由高质量的介质层构成的MISFET或者MOSFET结构，可以大大降低栅极漏电流。