本发明在此揭露一种薄膜晶体管及其制造方法。薄膜晶体管包含金属氧化物半导体层、绝缘层、栅极、源极以及漏极。金属氧化物半导体层包含通道区、源极区及漏极区。通道区具有至少一第一区域以及一第二区域，第一区域的氧空缺浓度大于第二区域的氧空缺浓度。第一区域被第二区域围绕。绝缘层配置在通道区上。源极区及漏极区分别位于通道区的相对两侧。栅极配置在绝缘层上。源极及漏极分别电性连接源极区与漏极区。