本揭示内容涉及栅极堆叠形成期间于高介电栅极介电层中钝化点缺陷，大体针对借由在栅极堆叠形成期间钝化点缺陷来改善有高介电常数栅极介电层的半导体装置的可靠性的技术。揭示于本文的一个示范方法包含下列步骤：执行多个材料沉积循环以形成高介电常数介电层于半导体材料层上面，以及在该多个材料沉积循环中的至少一者期间，将钝化材料引入用来形成该高介电常数介电层的气体前驱物。