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一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置
编号:S000020345 刷新日期: 有效日期至:2020-10-22 浏览:2017 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明实施例提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置,涉及显示技术领域,提出一种新的适用于薄膜晶体管有源层的材料,可以扩大有源层在材料上的可选择性,也可基于有源层的多种可选择材料来提高薄膜晶体管在工艺、成本方面的改善空间。该薄膜晶体管包括设置在衬底基板上的栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极;其中,所述有源层的材料为高简并半导体。用于薄膜晶体管、阵列基板、显示装置及其制造。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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