本发明公开了一种提高静态随机存储器读出冗余度的方法，其中，包括下列步骤：提供一包括NMOS晶体管、PMOS晶体管和控制管的半导体衬底；在所述PMOS晶体管和所述控制管的表面覆盖一层光刻胶，并且对所述NMOS晶体管进行刻蚀，去除掉所述源极和漏极的硅，在所述NMOS晶体管的源极和漏极形成凹槽；进行外延生长碳化硅工艺，在所述凹槽内淀积碳化硅（SiC）。本发明在不增加现有工艺步骤的同时，降低了控制管器件的载流子迁移率，从而增大了控制管的等效电阻，进而在读取过程中，降低了节点的电位，从而提高了随机存储器的读出冗余度。