本发明提供与被接合在接合面的半导体基板等其他构件之间的热传递效率优异的AlN基板，以及用于制造上述AlN基板的制造方法。AlN基板由包含2A族元素、3A族元素的AlN的烧结体形成，接合面的表面粗糙度Ra为3nm以下，在上述接合面上露出的长径0.25μm以上的空隙的、上述长径的平均值为1.5μm以下且最大值为1.8μm以下。制造方法如下所述：通过在包含88.7～98.5质量％的AlN、以氧化物换算计为0.01～0.3质量％的2A族元素、以氧化物换算计为0.05～5质量％的范围的3A族元素的烧结材料形成前体，将该前体在1500～1900℃的温度下烧结而形成烧结体，在1450～2000℃的温度及9.8MPa以上的压力下对上述烧结体进行HIP处理。