一种利用激光在半导体材料中制作垂直多结太阳能电池片的方法，将半导体材料放在装有透明窗口的真空室中，真空室安装在三维移动平台上，利用激光对处于杂质氛围中的半导体材料进行区域选择性掺杂形成p型层或n型层掺杂条纹序列，形成的p-n结或p-i-n结序列的耗尽层平面垂直于光照面，在背面刻蚀电极槽从而制作垂直多结太阳能电池片。本发明为垂直多结太阳能电池片提供了廉价、简易的全激光制作工艺。