本发明公开了一种制作具有埋入式位线与埋入式字线的内存装置的方法，其提供一半导体衬底，其上具有多个线形有源区域与位于所述线形有源区域之间的线形沟槽隔离区域，所述线形有源区域以及线形沟槽隔离区域沿着一第一方向交替排列；在所述半导体衬底中形成沿着一第二方向延伸的埋入式字线，所述埋入式字线与所述线形有源区域及所述线形沟槽隔离区域相交，所述第一方向不垂直于所述第二方向；在所述半导体衬底中形成沿着一第三方向延伸的埋入式位线，所述第三方向垂直于所述第二方向；以及于所述埋入式位线之间的储存节点位置上形成储存节点。