本发明公开了一种透明有机无机杂化异质结材料及其制备方法。本发明异质结材料以烷基噻吩-吡啶共聚物为p型半导体材料，以Ⅱ-Ⅵ族无机纳米晶为n型半导体材料，溶液中组装后采用旋涂、浇铸或印刷的方法成膜，可室温大面积成型。所制备的杂化异质结结构有序，光吸收效率高，分散稳定性及界面相容性良好。该杂化异质结材料成膜后具有良好的透光性，可以广泛用作半导体光电器件中各活性层材料。