本发明涉及具有可控制的光谱响应的光电探测器。光电探测器包括具有辐射区的半导体衬底，所述辐射区被配置为：响应于所述半导体衬底的辐射，生成具有相反电荷载流子类型的电荷载流子。所述光电探测器还包括反型区生成器，所述反型区生成器被配置为：在至少两个操作状态中操作以在衬底内生成不同反型区，其中在第一操作状态中生成的第一反型区与在第二操作状态中生成的第二反型区不同，以及其中所述第一反型区和所述第二反型区具有所述半导体衬底中的不同延伸。还描述了用于制造光电探测器的对应方法和用于确定辐射的光谱特性的方法。