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> 技术详情
背照式图像传感器及降低背照式图像传感器暗电流的方法
编号:S000020259
刷新日期:
有效日期至:
2020-11-02
浏览:
2443
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 -
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
技术转让
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
一种背照式图像传感器及降低背照式图像传感器暗电流的方法,所述背照式图像传感器包括:光电二极管;第一导电类型隔离层;传输管的栅极结构,对应于所述第一导电类型隔离层形成于所述第一导电类型半导体衬底的上表面;所述栅极结构包含:栅氧化层、栅极层和栅极侧墙;所述栅极结构对应覆盖所述光电二极管;浮置扩散区,形成于所述第一导电类型半导体衬底内,具有第二导电类型重掺杂。所述背照式图像传感器中,光电二极管正上方的第一导电类型半导体衬底表面不易出现缺陷,从而有效防止暗电流的产生。
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机构地址:
No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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