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用于荧光检测的双结深光电二极管
编号:S000020252 刷新日期: 有效日期至:2020-11-01 浏览:2443 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 浙江 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
基于标准CMOS工艺的双结深PN结光电二极管,由半导体硅P型衬底和N型阱构成的深结PN结光电二极管;由P型源漏注入和所述N型阱构成的浅结PN结光电二极管,所述半导体硅P型衬底为所述深结PN结光电二极管的阳极,所述N型阱为所述深结PN结光电二极管的阴极;所述P型源漏注入为所述浅结PN结光电二极管的阳极,所述N型阱为所述浅结PN结光电二极管的阴极;所述半导体硅P型衬底通过P型源漏注入形成重掺杂欧姆接触,并通过金属接触孔引出,所述N型阱通过N型源漏注入形成重掺杂欧姆接触,并通过金属接触孔引出。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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