一种鳍式场效应管及其形成方法，其中，所述鳍式场效应管，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底表面的绝缘层；位于所述绝缘层表面的若干鳍部，所述鳍部包括：位于绝缘层表面且垂直于所述半导体衬底的两个分立平行的侧壁层、以及位于所述侧壁层顶部且由所述两个侧壁层支撑的顶部层；横跨所述鳍部的顶部层和侧壁层的栅极结构；位于所述栅极结构两侧的鳍部内的源/漏区。所述鳍式场效应管的漏电流减少，性能提高。