一种闪存的存储单元及形成方法，其中，一种闪存的存储单元包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括阵列区和台阶区，所述台阶区在阵列区两侧；依次位于半导体衬底表面的隔离层、底层选择栅和底层介质层；位于所述底层介质层表面的控制栅层，所述控制栅层还包括：若干层多晶硅层和位于各层多晶硅层表面的若干层间介质层；贯穿所述阵列区的控制栅层厚度的记忆插塞阵列；位于台阶区的控制栅层内的若干层多晶硅层，自最底层至最顶层逐层递减形成阶梯，所述阶梯的各级台阶在半导体衬底上的投影排列呈线形，且所述线形与阵列区与台阶区相接触的边界平行。本发明实施例提供的闪存的存储单元使闪存的位密度提高，且位成本降低。