本披露提供一种半导体结构。半导体结构包括：基板上的氮化镓(GaN)层；设置在GaN层上的氮化铝镓(AlGaN)层；以及设置在AlGaN层上的栅叠层。栅叠层包括：III-V化合物n型掺杂层；邻近III-V化合物n型掺杂层的III-V化合物p型掺杂层；以及形成在III-V化合物p型掺杂层和III-V化合物n型掺杂层之上的金属层。