具有肖特基接触终端的快恢复二极管，属于功率半导体器件技术领域。本发明在传统快恢复二极管的基础上，将等位环接触金属改为肖特基接触金属，减小了过渡区处的注入效率，优化了终端部分载流子分布，减小了关断损耗，提高了反向恢复过程中的可靠性。本发明适用于从小功率到大功率的半导体功率器件和功率集成电路领域。