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> 技术详情
具有MOM电容器的集成电路及其制造方法
编号:S000020174
刷新日期:
有效日期至:
2020-11-03
浏览:
2485
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 -
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
合作研发
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
一种集成电路,可以包括与诸如finFET的其他器件同时形成的MOM电容器。形成在基板上的介电层中具有第一半导体鳍片和第二半导体鳍片。去除鳍片的相应顶部以在介电层中形成相应的凹槽。第一电极和第二电极以及中间的介电层形成MOM电容器。本发明提供具有MOM电容器的集成电路及其制造方法。
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机构地址:
No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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