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具有MOM电容器的集成电路及其制造方法
编号:S000020174 刷新日期: 有效日期至:2020-11-03 浏览:2485 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
一种集成电路,可以包括与诸如finFET的其他器件同时形成的MOM电容器。形成在基板上的介电层中具有第一半导体鳍片和第二半导体鳍片。去除鳍片的相应顶部以在介电层中形成相应的凹槽。第一电极和第二电极以及中间的介电层形成MOM电容器。本发明提供具有MOM电容器的集成电路及其制造方法。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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