本发明主要涉及功率半导体整流器，更确切地说，是设计一种超势垒整流器及提供制备超势垒整流器的优化方法。在半导体衬底中制备沟槽式的SBR器件，具有与MOS管并联的PN结，势垒MOS管的阈值电压比常规PN结的势垒电压低，SBR正向导通的电压低于常规PN二极管的正向导通电压，使SBR具有一个较快的开关速度。