一种半导体器件包括：依次形成在半导体衬底上的钝化层、第一保护层、互连层、以及第二保护层。互连层具有暴露部分，在该暴露部分上形成有阻挡层和焊料凸块。钝化层、第一保护层、互连层和第二保护层中的至少一层包括形成在导电焊盘区域之外的区域中的至少一个槽状件。本发明提供了钝化后互连结构。