本发明提供了一种调节前金属介电层应力的方法，通过调整HARP薄膜在不同区域的应力特性，满足不同器件的应力要求。本发明解决了HARP薄膜对PMOS器件的负面影响，同时提高了PMOS和NMOS载流子迁移率，从而提高了半导体器件的整体性能。