本发明公开了一种非挥发存储单元。非挥发存储单元包括耦合装置和第一选择晶体管。该耦合装置是形成于第一导电区；该第一选择晶体管是串联于第一浮动闸极晶体管和第二选择晶体管，其中该第一选择晶体管、该第一浮动闸极晶体管和该第二选择晶体管皆形成于第二导电区。该耦合装置的电极和该第一浮动闸极晶体管的闸极是为一体成型的浮动闸极；其中该第一导电区、该第二导电区皆形成于第三导电区；其中该第一导电区、该第二导电区和该第三导电区皆是掺杂井。因此，该非挥发存储单元可与一般互补金属氧化物半导体制程完全兼容，且仅需要较小的布局区域，并能在不降低循环速度下展现良好的写入与抹除速度、耐用性与数据保存性。