本发明涉及半导体设备制造领域，尤其涉及一种等离子发生装置及方法，包括石英管和电感线圈，所述石英管的两端分别设有进气口和出气口，所述电感线圈缠绕于所述石英管外侧靠近进气口的位置，还包括设于所述石英管内部的使气体靠近所述电感线圈流动的导流罩。本发明通过在所述石英管内设置所述导流罩，改变气体进入所述石英管后的流动方向及分布情况，使所述气体更靠近电感线圈，提高等离子体生成效率，且能够使所述气体均匀分布，经过各处电场强度相近，生成等离子体浓度更均匀。