本发明公开了一种用于等离子喷淋头的保护材料，涉及半导体刻蚀技术中用到的等离子设备的抗腐蚀技术，主要由作为主体材料的氧化镁，以及在主体材料中掺杂的含量为0.5~3wt%的氧化钙和含量为0.5~5wt%的氧化钇组成。本发明还提供了该保护材料的制备方法和应用方法，通过该保护材料的设置，能够明显提高等离子喷淋头长时间处于高等离子体环境下的耐腐蚀性能，延长等离子喷淋头的使用寿命，从而降低半导体材料的生产成本。