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晶体管的制作方法、晶体管、阵列基板以及显示装置
编号:S000020134
刷新日期:
有效日期至:
2020-12-25
浏览:
2239
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 -
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
技术转让
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明实施例提供的晶体管的制作方法、晶体管、阵列基板以及显示装置,用于提高阵列基板的开口率,该方法包括:形成第一源极和漏极金属层;在第一源极和漏极金属层上形成绝缘层;在绝缘层上形成栅极金属层;在栅极金属层上形成栅极绝缘层;在栅极绝缘层形成半导体层;在半导体层上形成的刻蚀阻挡层;在刻蚀阻挡层上形成第二源极和漏极金属层;在第二源极和漏极金属层上形成绝缘层。可见通过该方法制作的晶体管可提高阵列基板的开口率。
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No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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