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晶体管的制作方法、晶体管、阵列基板以及显示装置
编号:S000020134 刷新日期: 有效日期至:2020-12-25 浏览:2096 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明实施例提供的晶体管的制作方法、晶体管、阵列基板以及显示装置,用于提高阵列基板的开口率,该方法包括:形成第一源极和漏极金属层;在第一源极和漏极金属层上形成绝缘层;在绝缘层上形成栅极金属层;在栅极金属层上形成栅极绝缘层;在栅极绝缘层形成半导体层;在半导体层上形成的刻蚀阻挡层;在刻蚀阻挡层上形成第二源极和漏极金属层;在第二源极和漏极金属层上形成绝缘层。可见通过该方法制作的晶体管可提高阵列基板的开口率。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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