用户登录
用户注册
English
技术供应
>技术供应
>技术需求
>协作成员
>专家委员
>新闻资讯
首页
中心简介
新闻资讯
工作动态
行业资讯
特别关注
热点视频
技术供应
技术需求
协作成员
专家智库
专家咨询委员会
数字展会
成功案例
配套服务
下载中心
《中阿科技论坛》
您当前的位置:
首页
>
供应列表
> 技术详情
晶体管的制作方法、晶体管、阵列基板以及显示装置
编号:S000020134
刷新日期:
有效日期至:
2020-12-25
浏览:
2397
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 -
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
技术转让
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明实施例提供的晶体管的制作方法、晶体管、阵列基板以及显示装置,用于提高阵列基板的开口率,该方法包括:形成第一源极和漏极金属层;在第一源极和漏极金属层上形成绝缘层;在绝缘层上形成栅极金属层;在栅极金属层上形成栅极绝缘层;在栅极绝缘层形成半导体层;在半导体层上形成的刻蚀阻挡层;在刻蚀阻挡层上形成第二源极和漏极金属层;在第二源极和漏极金属层上形成绝缘层。可见通过该方法制作的晶体管可提高阵列基板的开口率。
分享到:
申请对接
收藏此供应
推荐给好友
穿越到手机
联系方式
在线QQ:
机构地址:
No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
查看地图
China-Arab States Technology Transfer Center
认证方式:
相似供应
采用加压溶气生化气浮的污水处理方法及设备
所在区域:中国
转让类型:
科技服务
氢氧气体直接外排的无膜电去离子方法与系统
所在区域:中国
转让类型:
科技服务
一种热电配套海水淡化制盐一体化方法
所在区域:中国
转让类型:
合作研发
一种采用层状双金属氢氧化物回收利用污水中重金属离子的方法
所在区域:中国
转让类型:
科技服务