在本发明中提供了一种高电压横向扩散金属氧化物半导体(HV？LDMOS)器件(具体为绝缘栅极双极结型晶体管(IGBT))及其制造方法。该器件包括具有至少一个高度掺杂的埋置部分的半导体衬底；在衬底上方生长的第一掺杂阱；在第一阱上形成的栅极结构；在栅极结构的一侧上形成的源极和在栅极结构的另一侧形成的漏极；以及在第一阱中形成的具有U形截面的第二掺杂阱。漏极的一部分形成在位于所述第二阱之外的第一阱上方。本发明还提供了一种具有低衬底泄露的绝缘栅极双极型晶体管。