本发明属于半导体材料薄膜晶体管制备技术领域，涉及一种合金氧化物薄膜晶体管的制备方法,将P型硅基片和氧化铝陶瓷靶材放入现有的脉冲激光烧蚀设备中对氧化铝陶瓷靶材进行脉冲激光烧蚀，在P型硅基片上沉积形成氧化铝陶瓷靶材薄膜样品；再清洗Al₂O₃陶瓷靶材薄膜样品表面，并在清洗后的Al₂O₃陶瓷靶材薄膜样品的栅介质层表面上制备ITZO半导体沟道层，光刻长、宽不同的TFT沟道，利用射频磁控溅射技术在高k栅介质层上室温沉积合金半导体薄膜沟道层材料；利用离子束溅射技术室温沉积金属Ni作为源、漏电极；剥离光刻胶后得到源、漏电极，退火后制得合金氧化物薄膜晶体管；其工艺过程简单，原理可靠，产品性能好，制备环境友好，成本低，应用前景广。