本发明公开了氧化物薄膜晶体管的制造方法，所述氧化物薄膜晶体管包括氧化物半导体层、源极和漏极，所述氧化物半导体层包括沟道区域、以及分别处于所述沟道区域两侧的第一接触区域和第二接触区域，所述源极与第一接触区域接触，所述漏极与第二接触区域接触，所述氧化物半导体层采用氧化铟、氧化镓、氧化锌或氧化锡、或者铟、镓、锌、锡的二元或多元氧化物，采用电子束对所述第一接触区域和第二接触区域进行辐射。本发明提高了氧化物薄膜晶体管的场效应迁移率，同时减少或避免了电流拥挤现象；另外有效降低工艺温度，保持基板处于低温状态，因而可以采用柔性基板，并且可以降低工艺难度，降低生产成本。