一种高效率平面式绝缘栅双极型晶体管IGBT，属于半导体器件制造技术领域。包括主体P+Substrate（1）、在主体P+Substrate（1）上方的第一层外延缓冲层（2）、在第一层外延缓冲层（2）上方的第二层外延漂移层（3）、通道RJ（4），其特征在于：在第二层外延漂移层（3）上方增设包含通道RJ（4）的第三层外延层（5）。与现有技术相比，能够有效地降低饱和电压VCE_sat，增加正向通电的效率等优点。