一种MOS晶体管的形成方法，包括：提供衬底；在衬底表面由下至上依次形成背栅极、背栅介质层、体区域、第一功能层和前栅介质层，所述第一功能层用于提高沟道区域中载流子的迁移速率；刻蚀所述前栅介质层和第一功能层，形成暴露出部分体区域的第一凹槽；沿第一凹槽对体区域进行离子注入，形成重掺杂区；在第一凹槽内填充金属层，形成与重掺杂区连接的插塞；在重掺杂区之间的前栅介质层表面由下至上依次形成第二功能层和前栅极，所述第二功能层用于降低沟道区域的漏电流。本发明MOS晶体管的形成方法能够调节所形成的MOS晶体管的阈值电压，提高了半导体器件中各个MOS晶体管的兼容性和匹配度，提高了所形成半导体器件的性能。