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> 技术详情
氧化物烧结体以及溅射标靶
编号:S000020051
刷新日期:
有效日期至:
2020-12-17
浏览:
2451
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 -
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
科技服务
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
提供一种氧化物烧结体,其适合用于显示装置用氧化物半导体膜的制造,并兼备高的导电性和相对密度,具有高的载流子迁移率,且能够成膜具有非常优越的面内均匀性的氧化物半导体膜。本发明的氧化物烧结体是将氧化锌、氧化锡、氧化铟的各粉末混合以及烧结而得到的氧化物烧结体,对所述氧化物烧结体进行X线衍射,设2θ=34°附近的XRD峰值的强度由A表示,设2θ=31°附近的XRD峰值的强度由B表示,设2θ=35°附近的XRD峰值的强度由C表示,设2θ=26.5°附近的XRD峰值的强度由D表示时,满足下述式(1)[A/(A+B+C+D)]×100≥70···(1)。
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No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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