本发明提供了一种深耗尽沟道场效应晶体管及其制备方法，将传统深耗尽沟道场效应晶体管形成在衬底中的沟道区改为设置于衬底上的垂直型结构，并优化了深耗尽沟道场效应晶体管的结构，在降低器件功耗，解决FET阈值电压变异的同时，可增大FET沟道内的电流密度，提高半导体的响应速度，提升半导体器件性能，且由于沟道区垂直型结构的设计，因此，不需要制作传统深耗尽沟道场效应晶体管中的穿通阻止区和屏蔽区，进而简化了工艺步骤并节省了成本。