本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法，所述方法包括以下步骤：提供基板；在所述基板上沉积第一金属层，并利用第一光罩对所述第一金属层进行图案化，形成栅极；在所述基板上依次沉积栅绝缘层和半导体层，利用第二光罩对所述半导体层进行图案化，保留位于所述栅极上方的半导体层；在所述基板上依次沉积透明导电层和第二金属层，利用多段式调整光罩来图案化所述透明导电层和第二金属层，在半导体层上形成包括所述透明导电层和第二金属层的源极及漏极，在栅绝缘层上由所述透明导电层形成像素电极和共通电极。本发明简化了工艺制程，降低了薄膜晶体管阵列基板的制作难度以及制作成本。