本发明公开了一种瞬态电压抑制器，包括：N型半导体衬底以及形成于N型半导体衬底上的P型外延层。齐纳二极管由形成于N型半导体衬底的表面的P+埋层和该P+埋层底部的N型半导体衬底组成。在P+埋层的正上方的P型外延层表面形成有一N+区，N+区和其底部的P型外延层组成上二极管。在和上二极管相隔一横向距离的P型外延层表面形成有一P+区，P+区和其底部的P型外延层和N型半导体衬底组成下二极管。本发明还公开了一种瞬态电压抑制器的制造方法。本发明的衬底的N型杂质在工艺的热处理过程中不易扩散，不会造成由于衬底的杂质扩散到外延层中而使外延层的厚度消耗掉的缺陷，能减少形成器件所需的外延层的厚度，降低工艺成本。