本发明提供了一种压力传感器及其制造方法，包括步骤：提供半导体基板，其中内嵌有层叠排列的CMOS电路、互连电路以及底部电极板，半导体基板暴露所述底部电极板外围的互连电路；在所述半导体基板上底部电极板的对应位置形成牺牲层；在所述牺牲层及所述半导体基板上形成压力感应层；去除所述牺牲层，所述压力感应层和半导体基底围成一个空腔；在所述压力感应层上形成压力传导层，其位于空腔的上方；其中，所述压力感应层的形成步骤包括：在牺牲层上形成锗硅-非晶硅-锗硅的叠层结构。相比于现有技术：压力感应层利用了复合叠层结构从而可以减小其中的应力，并且利用了多层的叠层结构，这样使得每一层相同材质的膜层厚度减小，从而应力大大降低，提高了器件的性能。