一种电容式MEMS惯性传感器的形成方法，包括：提供具有CMOS控制电路、及与电路电连接的固定电极的基底；形成与固定电极具有正对面积的牺牲层；形成覆盖基底、固定电极及牺牲层的第一介质层、覆盖第一介质层的用于形成可动电极的半导体材料层、覆盖半导体材料层的第二介质层；在第二介质层内形成露出半导体材料层的第一开口，第一开口与牺牲层在基底表面上的投影错开；形成填充第一开口、并与半导体材料层电连接的控制电极；形成覆盖第二介质层及控制电极的钝化层；进行干法刻蚀以在钝化层及第二介质层内形成露出半导体材料层的第二开口，第二开口与牺牲层具有正对面积。解决了利用现有方法所形成的惯性传感器可靠性不高的问题。