本发明是二维屏蔽栅晶体管器件及其制备方法。屏蔽栅晶体管器件包括形成在第一层次上的半导体衬底中的一个或多个屏蔽电极，以及形成在第二层次上的半导体衬底中的一个或多个栅极电极，第二层次与第一层次不同。一个或多个栅极电极的一个或多个部分与一个或多个屏蔽电极的一个或多个部分重叠。至少一部分栅极电极的方向不平行于一个或多个屏蔽电极。屏蔽电极与半导体衬底电绝缘，一个或多个栅极电极与衬底以及屏蔽电极电绝缘。