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一种金属氧化物薄膜晶体基板及其制造方法和液晶显示器
编号:S000020013 刷新日期: 有效日期至:2020-12-29 浏览:2019 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 江苏 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明提供一种金属氧化物薄膜晶体基板及其制造方法和液晶显示器,位于玻璃基板上,薄膜晶体基板包括数据线、栅线、TFT元件、像素电极、保护层,数据线包括第一数据线、第二数据线、以及信号搭桥线;TFT元件包括绝缘层、由信号搭桥线形成的源极、与像素电极连接的漏极、以及与栅线连接的栅极、位于源和漏极之间的半导体层;保护层,位于半导体层上。本发明提出一种减少光罩制程的TFT结构,可以减化制程降低制造成本。以IGZO或ZnO作为半导体层,利用栅极金属作为源极讯号,再利用ITO或达金属水平的低电阻透明材料进行桥接形成源极信号线(源极),像素电极(含漏极),只需四道光罩制程即完成TFT元件,有利于节约成本。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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